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Bruker椭偏仪 FilmTek 6000 PAR-SE

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Bruker椭偏仪 FilmTek 6000 PAR-SE

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Bruker椭偏仪 FilmTek 6000 PAR-SE

——用于IC器件开发和制造的先进多模薄膜计量学

想了解相关产品,可联系上海尔迪仪器科技有限公司,拨打电话021-61552797

FilmTek™ 6000标准杆数-SE多模薄膜计量系统在1x nm设计节点和更高的位置为广泛的薄膜层提供生产验证的薄膜厚度、折射率和应力测量监测。该系统能够在新一代集成电路的生产过程中实现更严格的过程控制,提高器件产量,并支持下一代节点技术的开发。


制造1x nm的IC器件需要使用高度均匀的复合膜。能够监测非常薄的薄膜的计量工具,通常在多层膜堆叠中(例如,高k和氧化物-氮化物-氧化物膜),使制造商能够保持对膜构建过程的严格控制。此外,一些工艺,如多重图案化,会导致薄膜厚度的梯度,必须对其进行监控,以获得佳器件性能(例如,注入损伤和低k薄膜)。不幸的是,现有的计量工具依赖于传统的椭偏测量或反射测量技术,其检测这些应用的薄膜梯度变化的能力有限。


为了克服这些挑战,FilmTek 6000标准杆数-SE将光谱椭圆偏振仪和DUV多角度极化反射仪与宽光谱范围相结合,以满足与多图案和其他前沿器件制造技术相关的需求。该系统采用我们多角度差分偏振(MADP)和差分功率谱密度(DPSD)技术,可独立测量薄膜厚度和折射率,显著提高其对薄膜变化的灵敏度,尤其是多层堆叠中的变化。这种组合方法对于用于复杂器件结构的超薄和厚膜叠层都是理想的。

关键词:
Bruker
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技术规格

膜厚范围 0 Å to 150 µm
膜厚精度 ±1.0至NIST可追溯标准氧化物100至两个1µm
光谱范围 190 nm - 1700 nm (220 nm - 1000 nm is standard)
光斑尺寸的测量 50 µm
样本量 2 mm - 300 mm (150 mm standard)
光谱分辨率 0.3 nm - 2nm
光源 调节氘卤素灯(寿命2000小时)
探测器类型 2048像素索尼线阵CCD/512像素冷却滨松InGaAs CCD阵列(NIR)
电脑 带Windows的多核处理器™ 10操作系统
测量时间 每个场地约2秒(如氧化膜)

 

性能规格

Film(s)   厚  测量参数 精确 ()
氧化物/硅 0 - 1000 Å t 0.03 Å
1000 - 500,000 Å          t 0.005%
1000 Å t , n 0.2 Å / 0.0001
15,000 Å t , n 0.5 Å / 0.0001
150.000 Å t , n 1.5 Å / 0.00001
氮化物/硅 200 - 10,000 Å t 0.02%
500 - 10,000 Å t , n 0.05% / 0.0005
光致抗蚀剂/硅 200 - 10,000 Å t 0.02%
500 - 10,000 Å t , n 0.05% / 0.0002
多晶硅 / 氧化物/硅 200 - 10,000 Å Poly , t Oxide         0.2 Å / 0.1 Å
500 - 10,000 Å Poly , t Oxide 0.2 Å / 0.0005
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